UltraRam احتمالاً فضای ذخیره‌سازی و حافظه را با هم ترکیب خواهد کرد
دانشمندان دپارتمان فیزیک و مهندسی دانشگاه لنکستر در بریتانیا اخیراً گزارشی درمورد پیشرفت‌های خود در موضوع اولترا رم (UltraRam) منتشر کرده‌اند؛ ایده‌ای بدیع که رم و حافظه‌ی ذخیره‌سازی را در یک قطعه‌ی سخت‌افزاری ارائه خواهد داد. به گفته‌ی تیمی از دانشمندان، هم‌اکنون بیش از آنچه به‌نظر می‌رسد به توانایی تولید اولترا رم نزدیک شده‌ایم.
به گزارش دیجیتال ترندز، بر اساس مقاله‌ی منتشر شده در مورد اولترا رم، این فناوری پایداری و و قابلیت نگه‌داری داده در حافظه‌ی ذخیره‌سازی را با سرعت بالا و کارایی رم ترکیب خواهد کرد. البته هنوز چنین سخت‌افزاری تولید نشده است، اما ساخت آن امکان‌پذیر است. در واقع به‌همین دلیل قبلاً تلاش‌هایی برای ساخت این قطعه انجام شده است.
رم‌های مدرن و SSD فوق‌سریع هر دو از فلش‌مموری بهره می‌برند، اما روش استفاده از فلش مموری در این دو قطعه متفاوت است. حافظه‌ی رایانه فقط اطلاعاتی که در حال حاضر مورد استفاده قرار می‌گیرد و نیز داده‌های غیردائمی را ذخیره می‌کند. اگر رایانه‌ی خود را خاموش کنید، همه‌ی این داده‌ها ناپدید خواهد شد. از سوی دیگر، دستگاه‌های ذخیره‌سازی داده مثل SSD، اطلاعات شما را به‌طور دائمی ذخیره می‌کنند که باعث شده به این نوع حافظه، لقب «غیر فرار» داده شود.
در حالی‌که راهکارهای حافظه و ذخیره‌سازی شباهت‌های به یکدیگر دارند، تلاش‌های موفقیت‌آمیزی برای ترکیب این دو حافظه صورت نگرفته است. یکی از نمونه‌های مشابه Intel optane است که جایگزینی برای حافظه‌ی فلش محسوب می‌شود. با این حال، به‌نظر می‌رسد اینتل این پروژه را رها کرده است، زیرا این شرکت تولید همه‌ی محصولات Optane را در سال ۲۰۲۱ متوقف کرد.
ایده‌ی اولترا رم، احتمالاً بر اساس تلاش‌های قبلی یک ایده‌ی لغو شده به‌نظر می‌رسد، اما به‌‌‌گفته‌ی پنج فیزیک‌دان دانشگاه لنکستر که در حال تحقیق درمورد این موضوع هستند، می‌توان آن را ممکن کرد. اولترا رم در واقع نسل جدیدی از حافظه و فضای ذخیره‌سازی را تعریف خواهد کرد که غیرفرار بوده و می‌تواند داده‌ها را برای مدت زمان طولانی ذخیره کند؛ علاوه بر این برای جایگزین شدن با رم به‌اندازه‌ی کافی سریع است.
مقاله‌ی مرتبط:SK Hynix اولین حافظه SSD با رابط PCIe نسل ۴ را ارائه می‌دهدتماشا کنید: سرعت خیره‌کننده‌ی حافظه SSD مبتنی‌بر PCIe 5.0
دانشمندان این فرایند را در مقاله‌ی خود توصیف کرده و نشان دادند که تولید ویفرهاس سیلیکونی می‌تواند در محدوده‌ی احتمالی باشد. این فرایند شامل استفاده از چاه‌های کوانتومی آرسنید ایندیوم (InAs) و موانع آنتی‌مونید آلومینیوم (AlSb) است. چاه‌های کوانتومی لایه‌های بسیار نازکی هستند که ذرات در آن‌ها نمی‌توانند به‌سمت بالا یا پایین حرکت کنند، اما می‌توانند در امتداد و سراسر دو صفحه‌ی دیگر به حرکت درآیند. این چاه‌ها و موانع کوانتومی باهم یک ساختار تونل‌زنی تشدید سه‌گانه (TBRT) ایجاد می‌کنند. دانشمندان بر این باورند که اولترا رم با استفاده از فناوری مورد اشاره می‌تواند برای انواع دستگاه‌های رایانه‌ای به‌روشی ارزان‌تر و سریع‌تر از راهکارهای فعلی تولید شود.
اگر قرار بود اولترا رم به جریان اصلی تبدیل شود، می‌توانست به این معنی باشد که به‌جای خرید جداگانه‌ی حافظه‌ی ذخیره‌سازی و رم، به‌سادگی یک قطعه با مقدار مشخصی فضای ذخیره‌سازی خریداری کنیم که هر دو این نیازها را روی هر رایانه‌ی شخصی برآورده کند.
در حالی‌که این ایده روی کاغذ عالی به‌نظر می‌رسد، اما قیمت‌گذاری این نوع فناوری احتمالاً برای بسیاری به یک مانع بزرگ تبدیل خواهد شد. اگر اولترا رم قیمتی در حد راهکارهای فعلی ذخیره‌سازی و رم نداشته باشد، فقط افراد معدودی مشتاق خرید آن خواهند بود. تا زمانی‌که اولترا رم به چیزی بیش از یک موضوع مطالعه تبدیل شود، کارهای زیادی باید انجام داد و تحقیقات در این زمینه همچنان ادامه دارد.
ایده‌ی ترکیب حافظه و فضای ذخیره‌سازی در یک جزء، از مدت‌ها قبل وجود داشته است، اما تاکنون در این زمینه هیچ اقدام واقعی انجام نشده؛ با این حال، امکان دارد این ایده روزی به واقعیت بپیوندد.